Principiul amplificării triodului
1. Zona de lansare emite electroni în zona de bază
Sursa de putere Ub este aplicată la joncțiunea emițătorului prin rezistența Rb, iar joncțiunea emițătorului este îndreptată înainte, iar purtătorii majoritari (electroni liberi) din regiunea emițătorului traversează continuu joncțiunea emițătorului în regiunea de bază pentru a forma curentul emițător Ie . În același timp, majoritatea transportatorilor din regiunea de bază difuză și în regiunea emițătorului. Cu toate acestea, întrucât concentrația de transport majoritar este mult mai mică decât concentrația de purtător în regiunea emițătorului, acest curent poate fi ignorat. Prin urmare, se poate considera că joncțiunea emițător este în principal un flux de electroni.
2. Difuzarea și recombinarea electronilor în regiunea de bază
După ce electronul intră în regiunea de bază, acesta este dens în apropierea joncțiunii emițătorului și formează treptat o diferență de concentrație a electronilor. Sub efectul diferenței de concentrație, fluxul de electroni este determinat să difuzeze în joncțiunea colectorului din regiunea de bază, iar câmpul electric al colectorului este tras în colectorul de curent. Regiunea formează un curent colector Ic. Există, de asemenea, o fracțiune mică de electroni (deoarece regiunea de bază este foarte subțire) recombinată cu găurile din regiunea de bază, iar raportul dintre fluxul de electroni difuz și fluxul de electroni compozit determină capacitatea de amplificare a triodului.
3. Colectarea energiei electrice în zona colectorului
Deoarece joncțiunea colectorului și tensiunea inversă sunt mari, forța de câmp electric generată de această tensiune inversă va împiedica electronii din regiunea colectorului să difuzeze în regiunea de bază și, în același timp, electronii difuzați în vecinătatea colectorului joncțiunile sunt trase în regiunea de colecție pentru a forma un principal colector. Icn curent. În plus, purtătorii minorilor (găuri) din regiunea colectoare produc, de asemenea, mișcare în derivă, care curge spre regiunea de bază pentru a forma un curent de saturație inversă, care este reprezentat de Icbo, care are o valoare mică, dar extrem de sensibil la temperatură.