Procesul de formare a semiconductorului de tip gaură
Doparea elementelor trivalente (cum ar fi borul) în cristalele de siliciu pur pentru a înlocui poziția atomilor de siliciu din rețeaua cristalină formează un semiconductor de tip P. În semiconductorii de tip P, găurile sunt multi-copii, iar electronii liberi sunt copii minoritari, care conduc în principal electricitatea prin găuri. Deoarece cantitatea de sarcină pozitivă și cantitatea de sarcină negativă în semiconductorul de tip P sunt egale, semiconductorul de tip P este neutru din punct de vedere electric. Găurile sunt asigurate în principal de atomi de impuritate, iar electronii liberi sunt formați prin excitație termică.